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Rohm Semiconductor EMD3T2R
| Artikelnummer: | EMD3T2R |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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| 10+ | $0.32 |
| 100+ | $0.2175 |
| 500+ | $0.1632 |
| 1000+ | $0.1224 |
| 2000+ | $0.1122 |
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Rohm Semiconductor EMD3T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments EMD3T2R.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse EMT6 Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Leistung - max 150mW Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang 250MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Grundproduktnummer EMD3T2 EMD3T2R Einzelheiten PDF [English] EMD3T2R PDF - EN.pdf -
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